利用反射及光激萤光量测能隙边缘的激子跃迁。在有效质量近似下，采用有限深势阱模型研究了强受限范围内，介电受限对球形、立方形半导体量子点中受限激子的影响。而对多激子态则采用能量求平均，同时考虑到费米面上的核子对能量、角度分布提供了不同的权重。当激子系统趋近统计平衡时，该公式就自动过渡到具有角动量的费米气能级密度公式。采用线性组合算符和护格朗日乘子法，导出了强耦合情况下的压电激子的有效哈密顿量，得到了强耦合激子的重正化质量。本文建立了半导体微腔的缀饰激子模型。当层厚度很薄时，激基复合物发光强度显著降低，而电致激基复合物合激子发光强度相对提高。在太赫兹场的驱动下，激子作布洛赫振荡。应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系，得到具有椭圆轨道激子的能量测不准量和能级宽度。用分子激子理论对实验现象进行了解释。 